报告出品/作者：国泰君安证券、王聪、舒迪、郭航

以下为报告原文节选

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1.半导体制裁重重加码，国产替代全面提速

1.1.EAR条例趋严，半导体制裁全面升级

对华“科技制裁”在不断升级趋严，半导体产业从全球化高度分工状态走向“脱钩”。从年至今，美国从一开始的对电子器件征收高额关税，到打击华为、中兴、中芯，再到封锁超算芯片、EDA软件、半导体制造设备等，甚至对相关美国人也进行了明确限制。中国半导体发展陷入困局，加速国产替代势在必行。美国（出台最新《出口管制条例》（EAR：ExportAdministrationRegulations），半导体制裁全面升级，涉及超算芯片、先进制程类半导体制造以及相关美国人等。年10月7日，美国BIS公布中国出口管制新规，面向先进芯片与芯片制造设备领域，主要涉及以下几个方面：1）对超算芯片进行限制；2）对半导体制造进行限制，包括16/14nm以下的FinFET/GAAFET的逻辑芯片，半间距为18nm以下的DRAM，层及以上的NAND闪存及相关领域美国人的限制；）UVL（未经核实清单）管制措施的更新，需要解决最终用途检查问题，否则移入实体名单EAR；4）28家实体清单的更新。

1.2.举国体制加速自主可控，国产替代进入新阶段

1.2.1.自主可控的良好土壤，大陆成晶圆扩产中心

全球景气度下行，半导体资本支出不断下修。台积电在22Q法说会中将22全年的资本支出从-亿美元下降至60亿美元。据集微网消息，海力士在9月底已向设备商修正年订单，削减设备投资计划，下修幅度预计7-8成；美光也宣布将减少年的资本支出0%至80亿美元。半导体产业转移大背景下，即使景气度下行，中国大陆依旧逆势扩产，逐步成为全球晶圆扩产中心。根据SEMI的数据，21年底中国大陆的全球晶圆产能占比仅为16%。21-22年全球新增晶圆厂预计29座，而中国大陆新增9座，数量占比达到0%以上。根据集微网的数据，21年底中国大陆12寸晶圆产能提升空间为46.8万片/月，22年12寸晶圆产能提升空间为52.万片/月，新增产能空间持续增加。另外，22年后中国大陆预计每年新增约5座晶圆厂，未来5年预计将新增25座晶圆厂投入设国产，涵盖逻辑、DRAM、MEMS等产线，预计26年底12寸晶圆厂总月产能将超过.万片。

国内四大主要内资晶圆厂从持续扩充，晶圆产能将从45万片增加到72万片每月，规划总产能万片。就中芯国际而言，在上海、北京、深圳、天津各有一座12寸晶圆厂在建，正快速提升国内的成熟制程产能，相关投资合计达26.5亿美元，规划产能合计达4万片/月。

四大内资晶圆厂的工艺水平迅速提升，为国内先进设备和材料的突破提供了良好的土壤。以长存为例，其已经突破22层DNAND，一期产线主要为64L和L，预计扩产的二期产线产品将主要为L以上。长鑫预计二期产线也将向17nm迈进。国内内资晶圆厂已经跃过风险试产阶段，战略目标从“爬良率出产品”向“供应链安全”倾斜。他们的逆势扩产，培养了自主可控的良好土壤，在一定程度上抵消了大环境的低迷，有效带动了国内半导体设备厂商的技术突破和业绩高增，国产替代加速发展。

1.2.2.产能扩张推动重复性订单，去A化产线仍任重道远

半导体设备和材料是晶圆制造的重要支撑领域，也是美国主要打压环节，与国际巨头相比，仍有较大差距，任重道远。在设备领域，薄膜沉积设备、光刻设备、前道检测设备、涂胶显影设备、离子注入设备、后道测试设备等国产化率均不足10%，甚至光刻和涂胶显影等领域国产化率仅有1%左右。在材料领域，硅片、CMP材料等领域国内公司开始冒头，但在光刻胶、光掩模板、靶材等环节仍然差距较大，尤其是光刻胶领域，国内公司无人实现A胶量产。

国产替代号角下，本土大厂已经跃过风险试产阶段，战略目标从“爬良率出产品”向“供应链安全”倾斜。半导体设备和材料公司加速发展，国产化率已经实现大幅提升，进入快速发展阶段。就设备而言，中芯国际、长江存储、长鑫存储在内的6大产线的总体国产化率从18年的平均10%上升到21年的0%左右。根据中国电子专用设备工业协会的数据，21年国产半导体设备国产化率达到20.24%，相较于18年增加了约6个pcts。

国内半导体设备公司的平均业绩增速、存货和合同负债增速整体均维持高增。根据18年到21年的数据，国内设备公司的18-21年CAGR平均增速维持68%左右，存货和合同负债18-21年CAGR平均增速维持70%以上。根据各家公司在手订单和合同负债来看，未来1-2年内，各家设备公司的业绩高增有望持续维持。

1.2..举国体制发展半导体，全面拥抱自主可控

大陆晶圆厂逆势扩产，国产设备和材料快速发展，逐步打破美国垄断，但必须承认，中国半导体先进制程甚至成熟制程产业（包括逻辑芯片、存储芯片行业）仍无法摆脱美系半导体设备独立商业经营。以长江存储为例，从10月7日法文公开后一周内，面临了美国半导体设备商LAM/AMAT/KLA的现场工程师撤离、已经订购完成的美系半导体设备无法交付、包括CEO在内的全部美籍员工离职、原本计划的三期扩产项目暂停搁置、已经导入的优质美国客户Apple也可能面临退货等一系列严重经营性问题。美国国家级制裁重压之下，是中国半导体存亡危急时刻，需国家和产业共同发力，以举国体制凝聚力量，做好论持久战的充足准备。1）国家层面：以一系列政府补贴、国家大基金等措施助力半导体产业发展，通过举国体制攻坚光刻机等核心关键技术，并争取谈判方式寻求政策、企业层面的相关利益，为中国半导体的健康快速成长留足时间和空间。2）企业层面：①争取相关许可证，在16/14nm成熟制程以上、18nm以上DRAM、层以下的DNAND等相关未制裁的领域做好自主可控；②争取和非A设备厂家合作，并通过国家层面的努力进一步争取KLA等关键设备的合作，让现有先进产线能够正常工作；③与国家合作，攻坚自主可控。包括相关Chiplet技术、先进制程技术等。“放弃幻想、面对现实”，我们认为此次法令全面限制精准打击中国高端半导体产业，放弃对制裁可能放松的幻想，放弃中国半导体产业立马就能超日赶美的幻想，面对中国半导体短期经营性受严重打击的现实，面对中国半导体将迎来长期持久艰辛突破的现实，以“论持久战”的决心和“举国体制”的信心面对行业转折点，唯此半导体产业自强之路才能行稳致远。

2.设备：攻坚核心技术领域，加深空白环节覆盖度

2.1.国产替代加速，国际差距逐步缩小

半导体设备可大致分为晶圆制造设备和封装测试设备，对应于晶圆加工和封测的各个环节，属于半导体制造的核心支撑领域。晶圆加工设备：晶圆加工步骤主要分为扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、抛光等。以晶圆加工中最重要的光刻为例，光刻又可以细分为清洗、涂胶、光刻和显影，对应的晶圆加工设备为清洗机、涂胶机、光刻机和显影机。晶圆处理精度高，一般在几纳米至几微米，对加工设备精度要求极高，其中部分工序需要循环进行多次，需要用到大量的半导体设备。封测分为封装和测试：封装主要用于芯片后道加工，工艺流程在晶圆制造后，分为传统封装和先进封装两种；测试则涵盖半导体中游所有环节，从IC设计到IC封装，都需要经过测试。传统封装设备包括减薄机、划片机、贴片机、引线键合机等；先进封装设备包括清洗机、溅射设备、光刻机、涂覆设备、回熔焊接设备等；测试设备主要包括测试机、探针台和分选机。

全球半导体设备市场依旧保持着良好的增长态势，预计22年达到亿美元。根据SEMI数据，1年全球半导体设备市场规模为亿美元，同比增长44%，预计年市场规模将有11%左右的增速，约亿美元。海外厂商维持强劲，垄断格局进一步凸显。半导体设备市场已形成较为稳定的寡头垄断市场格局，头部效应明显。半导体设备技术壁垒、验证壁垒以及市场壁垒都较高，多重因素导致主要市场份额集中在少数头部企业中，并且垄断格局不断扩大。根据统计，全球前5大半导体设备厂商分别为AMAT、ASML、Lam、TEL及KLAC，1年行业CR5约为84%，较年的65%显著提高。

中国半导体设备市场增速高于平均水平，中国大陆成为全球最大的半导体设备市场。近年来，随着晶圆厂商的不断扩产和国产替代的加速，中国半导体设备市场正高速增长，增速远超全球平均水平。据SEMI数据，1年中国大陆半导体设备销售额为.2亿美元，同比增长58%，成为全球最大的半导体设备市场，占比29%，较20年增长pcts。

国内厂商在半导体前道和后道设备领域均加速突破，进入从1到到10的的新阶段，逐步缩小国际差距。前道设备领域：

热处理设备、清洗设备、刻蚀设备、去胶设备、CMP设备等领域市占率较高，均在20%左右，甚至更高。例如在CMP设备领域，华海清科已经实现12英寸28nm以上逻辑制程、层以下DNAND、1X/1YDRAM全覆盖，14nm及以下已经处于验证之中；在刻蚀设备领域，中微公司已经实现5nm制程的CCP设备的量产，北方华创的14nmICP设备也已进入中芯国际产线进行验证。薄膜沉积设备、离子注入设备等领域市占率较低，难度较大，但近年来也有了较大的突破。拓荆科技的28nm以上PECVD在国内产线获得了较大的订单，实现了量产，SACVD和ALD设备也初步取得了客户订单，实现了突破。凯世通的多款离子注入机设备产品获得了客户的重复采购和批量订单。后道设备领域：

就后道测试设备而言，华峰测控、长川科技、华兴源创实现了较大的突破。其中华峰测控在SoC测试领域，目前主要M的实现量产，预计第二代M以上的将在年内形成样机。长川科技的数字测试机D，集合个数字通道、MHz数字测试速率实现快速放量。

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精选报告来源：虎鲸报告